偉大文獻：記憶體小知識

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記憶體小知識

　當今的電腦，CPU的速度越來越快、性能越來越高，CPU的主頻幾個月就能翻一番，上到一個新高度，然而為了能讓微機發揮出最大的效能，記憶體作為個人電腦硬體的必要組成部分之一，它的地位越發重要起來。在現在看來，記憶體的容量與性能已成為決定微機整體性能的一個決定性因素，因此多瞭解一些關於記憶體方面的知識是很有必要的，本文將就記憶體方面的知識進行一些介紹。

1.記憶體的分類：

　　記憶體是記憶體的一種。記憶體是電腦的重要組成部分，按其用途可分為主記憶體（MainMemory，簡稱主存）和輔助記憶體（Auxiliary Memory，簡稱輔存），主記憶體又稱內記憶體（簡稱記憶體），輔助記憶體又稱外記憶體（簡稱外存）。外存通常是磁性介質或光碟，能長期保存資訊，並且不依賴於電來保存資訊。

2．記憶體的分類：

　　記憶體的物理實質是一組或多組具備資料登錄輸出和資料存儲弁鄋瑪n體電路。記憶體按存儲資訊的弁鄍i分為唯讀記憶體ROM（Read Only Memory）、可改寫的唯讀記憶體EPROM（Erasable Programmable ROM）和隨機記憶體RAM（Random Access Memory）。ROM中的資訊只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用於存放固定的程式，如監控程序、組合語言程式等，以及存放各種表格。EPROM和一般的ROM不同點在於它可以用特殊的裝置擦除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。RAM就是我們平常所說的記憶體，主要用來存放各種現場的輸入、輸出資料，中間計算結果，以及與外部記憶體交換資訊和作堆疊用。它的存儲單元根據具體需要可以讀出，也可以寫入或改寫。由於RAM由電子器件組成，所以只能用於暫時存放程式和資料，一旦關閉電源或發生斷電，其中的資料就會丟失。現在的RAM多為MOS型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶資訊的；動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶資訊的。由於電容上的電荷會洩漏，需要定時給與補充，所以動態RAM需要設置刷新電路。但動態RAM比靜態RAM集成度高、弁荍C，從而成本也低，適於作大容量記憶體。所以主記憶體通常採用動態RAM，而高速緩衝記憶體（Cache）則使用靜態RAM。另外，記憶體還應用於顯卡、音效卡及CMOS等設備中，用於充當設備緩存或保存固定的程式及資料。

3．有關記憶體的常見技術指標：

　　接下來我們來談談有關記憶體的人們普遍關心的各種技術指標，一般包括引腳數、容量、速度、奇偶校驗等。引腳數可以歸為記憶體模組的介面類型，這裏不再贅述。容量這一指標是我們比較關心的，因為它將直接制約系統的整體性能。另外，記憶體條是否以完整的存儲體（Bank）為單位安裝將決定記憶體能否正常工作，這與電腦的資料匯流排位元數是相關的，不同機型的電腦，其資料匯流排的位元數是不同的。記憶體條通常有16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量級別，其中64MB、128MB記憶體已成為當前的主流配置，而用於諸如圖形工作站的記憶體容量已高達512MB或1G，甚至更高。記憶體條晶片的存取時間是記憶體的另一個重要指標，其單位以納秒（ns）度量，換算關係為 1ns = 10-3us = 10-6ms = 10-9s 。常見的有5、6、7、8、10ns等幾種，這個數值越小，存取速度越快，但價格也便隨之上升。在選配記憶體時，應儘量挑選與CPU 時鐘週期相匹配的記憶體條，這將有利於最大限度的發揮記憶體條的效率。記憶體慢而主板快，會影響CPU的速度，還有可能導致系統崩潰；記憶體快而主板慢，結果只能是大材小用。所以，對於DIY一族決不應忽視對記憶體條的選購。記憶體條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對於保證資料的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行資料量非常大的計算中。標準型的記憶體條有的有校驗位元，有的沒有；非標準的記憶體條均有奇偶校驗位。另外，對於常見機型中，有無奇偶校驗位一般均可正常工作，但需要注意的是，在CMOS的SETUP中的設置必須與實際的記憶體條情況相一致，同時，這也導致一台電腦中記憶體條的配置要麼都帶奇偶校驗位，要麼都不帶，決不可混用。

4．目前和未來的的記憶體

　　目前在市場上還是SDRAM占統治地位，是目前的主流記憶體。但是隨著記憶體技術蓬勃發展，幾個大廠商都在加緊自己新型記憶體技術的發展，其中尤以RDRAM和DDR的較量最為激烈，可以預料未來將是RDRAM和DDR的天下。
　　下面將分別介紹這幾種記憶體。
　　SDRAM：SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步動態隨機記憶體”，這就是目前主推的PC100和PC133規範所廣泛使用的記憶體類型，它的帶寬為64bit，3.3 V電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它是與CPU使用相同的時鐘頻率進行資料交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
　　DDR SDRAM：又簡稱DDR，是“雙倍速率SDRAM”的意思，由於它可以在時鐘觸發沿的上、下沿都能進行資料傳輸，所以即使在133MHz的匯流排頻率下的帶寬也能達到2.128GB/S。DDR不支援3.3V電壓的LVTTL，而是支援2.5V的SSTL2標準。它仍然可以沿用現有SDRAM的生產體系，製造成本比SDRAM略高一些（約為10%左右）。
　　RDRAM：Direct Rambus DRAM（DRDRAM）“介面動態隨機記憶體”，這是Intel所推崇的未來記憶體的發展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘週期的資料量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（不低於300MHz），但其資料通道介面帶寬較低，只有16bit，當工作時鐘為300MHz時，Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸資料，因此它的資料傳輸率能達到300×16×2÷8=1.2GB/S，若是兩個通道，就是2.4GB/S。它與傳統DRAM的區別在於引腳定義會隨命令變化，同一組引腳線既可以被定義成位址線也可以被定義成控制線。其引腳數僅為普通DRAM的三分之一。當需要擴展晶片容量時，只需要改變命令，不需要增加晶片引腳。DRDRAM要求RIMM中必須都插滿，空餘的插槽中必須插上傳接板（也叫終結器）。